日本古河furukawa氮化铝粉用于散热片和填料 FAN-f05/f30-A1/f50-A1 填料是将氮化铝（AlN）细粉烧结成球形而制成的，在树脂中具有优异的填充性能，可以显着提高导热系数，因此用于散热片等产品。随着电子元件变得越来越小、集成度越来越高，散热已成为一个主要问题，而氮化铝陶瓷填料有助于改善散热。

日本furukawa氮化铝粉陶瓷填充材料改善散热 FAN-f05/f30-A1/f50-A1 填料是将氮化铝（AlN）细粉烧结成球形而制成的，在树脂中具有优异的填充性能，可以显着提高导热系数，因此用于散热片等产品。随着电子元件变得越来越小、集成度越来越高，散热已成为一个主要问题，而氮化铝陶瓷填料有助于改善散热。

日本古河furukawa电绝缘性氮化铝陶瓷基板 FAN-170/FAN-200 我们提供使用古河电子的烧成技术制造的块材切片而成的基板。 氮化铝（AlN）陶瓷基板能够同时实现高散热和电绝缘性能，被用作5G时代功率半导体和光通信激光器的散热基板，在绝缘的同时起到散热的作用。

日本furukawa氮化铝陶瓷基板材料散热性高 FAN-170/FAN-200 我们提供使用古河电子的烧成技术制造的块材切片而成的基板。 氮化铝（AlN）陶瓷基板能够同时实现高散热和电绝缘性能，被用作5G时代功率半导体和光通信激光器的散热基板，在绝缘的同时起到散热的作用。

日本furukawa氮化铝陶瓷零件高导热率耐腐蚀 FAN-090/FAN-170/FAN-200 半导体制造设备（用于前端工艺）需要应对更小的设计规则和更大的晶圆直径（300mmφ或更大）。为此，构成设备的部件材料的选择极其重要。

日本furukawa氮化铝陶瓷零件半导体制造设备 FAN-090/FAN-170/FAN-200 半导体制造设备（用于前端工艺）需要应对更小的设计规则和更大的晶圆直径（300mmφ或更大）。为此，构成设备的部件材料的选择极其重要。

日本MARUWA高纯氮化铝高电绝缘性半导体封装 ANF-A / ANF-S系列 利用陶瓷基板技术开发出的高导热填料，体现了氮化铝（AlN）其材料本身具有的性能，源于精益求精的高品质材料以及成熟的一体化生产体系，并基于其稳定性与高导热率，可以大大期待提高树脂等产品的导热性能。 产品广泛用于导热胶，导热垫片等导热材料（TIM）产品，以及金属基板涂层，半导体封装等领域。

日本MARUWA高纯氮化铝用于导热材料产品加工 ANF-A / ANF-S系列 利用陶瓷基板技术开发出的高导热填料，体现了氮化铝（AlN）其材料本身具有的性能，源于精益求精的高品质材料以及成熟的一体化生产体系，并基于其稳定性与高导热率，可以大大期待提高树脂等产品的导热性能。 产品广泛用于导热胶，导热垫片等导热材料（TIM）产品，以及金属基板涂层，半导体封装等领域。