日本nasgiken硅晶片气体蚀刻设备洁净室装置

日本nasgiken硅晶片气体蚀刻设备洁净室装置 BEM-310 特点介绍

该设备使用臭氧和HF对硅晶片的整个表面进行体蚀刻。

气体蚀刻不会在晶圆表面产生水滴。

蚀刻期间晶圆中的污染物不会转移到其他位置。

这是在洁净室中使用的独立式设备。

使用单张片材对整个表面进行蚀刻，但也可以通过映射恢复进行部分评估。

晶圆搬运由人工完成，但设备由计算机控制，操作方便。

日本nasgiken硅晶片气体蚀刻设备洁净室装置 BEM-310 规格参数

设备名称 BEM-310 

兼容晶圆尺寸 200毫米、300毫米 

手术 内置电脑 

批量蚀刻功能 ○ 

恢复率能力 ±10%以内 

蚀刻后平整度 ±10%以内 

外形尺寸（宽×深×高）（毫米）（*1） 1000×1300×2000 

重量 约150公斤 

使用设备 酸排放、一般废气、酸废气 

所需的公用设施 电源（AC100V、200V）、纯水、O2、N2、HF 

该设备使用臭氧和HF对硅晶片的整个表面进行体蚀刻。

气体蚀刻不会在晶圆表面产生水滴。

蚀刻期间晶圆中的污染物不会转移到其他位置。

这是在洁净室中使用的独立式设备。

使用单张片材对整个表面进行蚀刻，但也可以通过映射恢复进行部分评估。

晶圆搬运由人工完成，但设备由计算机控制，操作方便。