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日本古河furukawa氮化铝 (AlN) 陶瓷零件半导体制造设备用

更新时间:2024-07-29      浏览次数:383

日本古河furukawa氮化铝 (AlN) 陶瓷零件半导体制造设备用


半导体制造设备(用于前端工艺)需要应对更小的设计规则和更大的晶圆直径(300mmφ或更大)。为此,构成设备的部件材料的选择极其重要。

氮化铝(AlN)是一种平衡良好的材料,具有优异的导热性、热辐射(散热)、抗热震性和电绝缘性,并且具有与硅晶片相匹配的热膨胀性。

利用古河电子的烧成技术,我们还能够制造550mmφ的氮化铝陶瓷部件。我们还将应对更大直径的晶圆。

我们还提供材料。如果您对氮化铝陶瓷有任何疑问,请随时与我们联系。

特征

具有高导热率和热发射率,热量均匀性高。

它具有抗热冲击能力,可以承受快速加热和冷却。

与硅相匹配的低热膨胀。

对氟气具有优异的耐腐蚀性。

目的

半导体制造装置(CVD、蚀刻等)用各种基座、静电吸盘、均热板、真空吸盘、加热器

虚拟晶圆

目标

化合物半导体制造设备零部件

型号:FAN-090 / FAN-170 / FAN-200

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